Pat
J-GLOBAL ID：200903042869314595
磁性メモリー
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三好 秀和 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997337406
Publication number (International publication number)：1999176149
Application date： Dec. 08, 1997
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：
【要約】【課題】 一つのメモリーセルに3値以上の多値の情報を記憶できる磁性メモリーを提供する。【解決手段】 第1磁性層3、第1非磁性スペーサー層4、第2磁性層5、第2非磁性スペーサー層6、および第3磁性層7とを少なくとも具備したメモリーセルをマトリクス状に配列している。ワード線を流れる電流の方向と強度を調節して、第1、第2および第3磁性層の磁化の状態を独立に制御することにより、各メモリーセルに多値の情報を記憶しランダムアクセスする。
Claim (excerpt)：
第1磁性層と、該第1磁性層の上部の第1非磁性スペーサー層と、該第1非磁性スペーサー層の上部の第2磁性層と、該第2磁性層の上部の第2非磁性スペーサー層と、該第2非磁性スペーサー層の上部の第3磁性層とを少なくとも有するメモリーセルを複数個具備し、前記第1乃至第3磁性層のそれぞれの磁化の状態により、前記メモリーセルのそれぞれに多値の情報を記憶する磁性メモリー。
IPC (3)：
G11C 11/15
, H01F 10/08
, H01L 43/08
G11C 11/15
, H01F 10/08
, H01L 43/08
