Pat

J-GLOBAL ID：200903042884404860

半導体光機能素子およびその製造方法

Inventor： 吉本 直人 ,  東盛 裕一 ,  赤淵 忠之
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998216992
Publication number (International publication number)：2000049420
Application date： Jul. 31, 1998
Publication date： Feb. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半絶縁性基板を用いた場合のスポットサイズ変換のモード非対称性を是正し、ファイバとの結合特性を向上させる。【解決手段】 半絶縁性基板(基板1)と、第1の導電型を有する第1のクラッド層(多重クラッド層2)と、この多重クラッド層2よりも屈折率が大きい活性層10と、この活性層10よりも屈折率が小さくかつ第2の導電型を有する第2のクラッド層6と、第2の導電型を有するコンタクト層7とが順次積層された半導体光機能素子において、多重クラッド層2は、多層構造をなし、この多層構造は、屈折率の異なる層が隣り合うように積層されて構成されている。さらに、多重クラッド層2の屈折率の平均は、基板1の屈折率と等しいかまたはそれ以上である。

Claim (excerpt)：

半絶縁性基板と、第1の導電型を有する第1のクラッド層と、この第1のクラッド層よりも屈折率が大きい活性層と、この活性層よりも屈折率が小さくかつ第2の導電型を有する第2のクラッド層と、第2の導電型を有するコンタクト層とが順次積層された半導体光機能素子において、前記第1のクラッド層は、多層構造をなし、この多層構造は、屈折率の異なる層が隣り合うように積層されて構成され、前記第1のクラッド層の屈折率の平均は、前記半絶縁性基板の屈折率と等しいかまたはそれ以上であることを特徴とする半導体光機能素子。

IPC (3)：

H01S 5/30 ,  H01L 27/146 ,  H01L 27/15

FI (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 27/15 C ,  H01L 27/14 A

F-Term (13)：

4M118CB01 ,  4M118CB03 ,  5F073AA22 ,  5F073AA74 ,  5F073AB05 ,  5F073AB25 ,  5F073AB28 ,  5F073CA04 ,  5F073CA07 ,  5F073CA12 ,  5F073CA15 ,  5F073CB03 ,  5F073EA19