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J-GLOBAL ID：200903042886324979

化学的気相堆積処理を改善する方法

Inventor： ロバート ロバートソン ,  マイク コルラック ,  アンジェラ リー ,  タカコ タケハラ ,  ジェフ フェン ,  キュアニュアン シャン ,  カム ロウ
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001143446
Publication number (International publication number)：2002060950
Application date： May. 14, 2001
Publication date： Feb. 28, 2002
Summary：

【要約】【課題】 チャンバから残留フッ素を除去し、引続き処理される基板上に落下し得るチャンバ内の粒子の数を減す。【解決手段】 マルチステッププロセスを使用して、洗浄後に、後続堆積の合間に、化学的気相堆積チャンバをコンディショニングし、このコンディショニングは、残留フッ素をチャンバから水素プラズマにより除去し、続いて、固体化合物をチャンバ内に引続いて堆積してチャンバ内に残留するいずれかの粒子を被包することによって行われる。

Claim (excerpt)：

化学的気相堆積(CVD)チャンバの洗浄に続いて、前記チャンバ内の汚染を最小限にする方法であって:a)水素プラズマを化学的気相堆積チャンバ内に形成するステップであって、前記プラズマは、存在する分子と反応して反応生成物を形成するステップ;b)前記反応生成物を前記チャンバから除去するステップ;およびb)不活性な化合物の固体薄膜を前記CVDチャンバの内面上に堆積するステップ;を含み、前記固体化合物膜は前記チャンバに残留する粒子を被包する;方法。

IPC (2)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (2)：

C23C 16/44 J ,  H01L 21/205

F-Term (22)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030DA06 ,  4K030FA03 ,  4K030JA16 ,  4K030KA47 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045BB14 ,  5F045EB03 ,  5F045EB06 ,  5F045EC05 ,  5F045EH13 ,  5F045HA01