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J-GLOBAL ID：200903042893075380

電子デバイスの製造方法、電子デバイスおよび電子デバイス装置

Inventor： ▲高▼瀬 道彦 ,  吉田 哲久 ,  清水 紀智
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002031576
Publication number (International publication number)：2003234455
Application date： Feb. 07, 2002
Publication date： Aug. 22, 2003
Summary：

【要約】【課題】 0.01μmないし30μmの厚みの基板に半導体装置が形成された電子デバイスの製造方法、電子デバイスおよび電子デバイス装置を提供する。【解決手段】 電子デバイスの製造方法は、基板を薄膜化して極薄基板を形成する極薄基板形成工程と、載置基板上に該極薄基板を動かないように載置する載置工程と、該載置基板上に動かないように載置された該極薄基板上に電子部品を形成する電子部品形成工程と、該電子部品が形成された該極薄基板を電子デバイスとして切り出す切り出し工程とを包含する。

Claim (excerpt)：

基板を薄膜化して極薄基板を形成する極薄基板形成工程と、該極薄基板よりも厚い載置基板上に該極薄基板を固定状態で載置する載置工程と、該載置基板上に固定状態で載置された該極薄基板上に電子部品を形成する電子部品形成工程と、該電子部品が形成された該極薄基板を該載置基板から切り出すことによって電子デバイスとして取り出す取り出し工程とを包含する電子デバイスの製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/301

FI (3)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/78 V ,  H01L 21/78 F