窒化物半導体の気相成長方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000232821
Publication number (International publication number)：2002050580
Application date： Aug. 01, 2000
Publication date： Feb. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】窒化ガリウム系化合物半導体などの気相成長技術において、均一で再現性の高い結晶層を得ることのできる窒化物半導体の気相成長方法を提供する。【解決手段】基板上に結晶成長を阻害する保護膜を、該保護膜の一部を開口した窓領域内で第1窒化物半導体層が臨むように形成し、その第1窒化物半導体層からの第2窒化物半導体層の選択成長を所要の成長開始温度で開始し、続いて前記成長開始温度よりも高い温度に昇温して結晶成長を継続する。昇温前の低い温度では気相成長によって均一な低温成長層が得られ、続いて高温の成長層を形成した際にはその均一さを反映して均一で再現性の高い結晶層が形成される。

Claim (excerpt)：

基板上に結晶成長を阻害する保護膜を、該保護膜の一部を開口した窓領域内で第1窒化物半導体層が臨むように形成し、前記第1窒化物半導体層からの第2窒化物半導体層の選択成長を所要の成長開始温度で開始し、続いて前記成長開始温度よりも高い温度に昇温して結晶成長を継続することを特徴とする窒化物半導体の気相成長方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 , C30B 29/38 , H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (4)：

H01L 21/205 , C30B 29/38 D , H01L 33/00 C , H01S 5/323

F-Term (37)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077EE07 , 4G077EF01 , 5F041AA40 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA77 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB02 , 5F045BB12 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DB02 , 5F045DB04 , 5F045DB06 , 5F073CA17 , 5F073CB05 , 5F073DA05 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

窒化物系III-V族化合物半導体結晶膜、窒化物系III-V族化合物半導体結晶膜をもちいた半導体装置及び窒化物系III-V族化合物半導体結晶膜をもちいた半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-082360 Applicant：日本電気株式会社, 長谷川文夫
窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-080410 Applicant：ソニー株式会社
GaN系結晶成長用基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-198514 Applicant：三菱電線工業株式会社

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