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J-GLOBAL ID：200903042903377348

炭化珪素単結晶の製造方法

Inventor： 神谷 信雄 ,  岡本 篤人 ,  杉山 尚宏 ,  谷 俊彦 ,  近藤 宏行
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所 ,  株式会社デンソー
Agent (1)： 伊藤 洋二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998217724
Publication number (International publication number)：2000044397
Application date： Jul. 31, 1998
Publication date： Feb. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】 新たな成長層にてマイクロパイプ欠陥の発生、承継を抑制するのではなく、炭化珪素単結晶に存在しているマイクロパイプ欠陥を閉塞させることができるようにする。【解決手段】 マイクロパイプ欠陥を有する基板結晶6を用意する。そして、スーパーマグネトロンプラズマ装置内に基板結晶6を配置し、マグネトロンプラズマにて基板結晶6の表面、若しくはマイクロパイプ欠陥の内壁表面を加熱する。このプラズマ加熱によって電気的、磁気的な相互作用が生じ、表面原子の表面拡散を促進させることができる。これにより、表面原子が移動してマイクロパイプ欠陥内に入り込むため、マイクロパイプ欠陥を閉塞することができる。

Claim (excerpt)：

マイクロパイプ欠陥を有する炭化珪素単結晶を用意する工程と、電磁波の照射により、前記炭化珪素単結晶の表面において原子の表面拡散を促進させ、前記マイクロパイプ欠陥を閉塞する工程と、を備えていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/36 ,  C30B 33/04

FI (2)：

C30B 29/36 A ,  C30B 33/04

F-Term (11)：

4G077AA02 ,  4G077AB10 ,  4G077BE08 ,  4G077ED01 ,  4G077EE01 ,  4G077EE06 ,  4G077EF02 ,  4G077EJ01 ,  4G077EJ02 ,  4G077HA05 ,  4G077HA12