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J-GLOBAL ID：200903042908360389

半導体レーザ、光ヘッド、光ディスク装置、および半導体レーザの製造方法

Inventor： 上柳 喜一
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 平田 忠雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000056362
Publication number (International publication number)：2001244564
Application date： Mar. 01, 2000
Publication date： Sep. 07, 2001
Summary：

【要約】【課題】 微小開口から放射されるレーザ光の強度を増大させることにより、記録媒体の高記録密度化が可能となり、小型化およびデータ転送レートの向上を図った半導体レーザ、光ヘッド、光ディスク装置、および半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】 この半導体レーザ2は、同軸開口5内に低反射多層膜10bを埋め込み、さらに、ドーナツ状の開口部5aの表面3側に高屈折率のTiO2膜5bを配置している。レーザ光は、TiO2膜5b中で波長が短くなり、金属遮光体4に設けた同軸開口5からレーザ光が放射し易くなる。

Claim (excerpt)：

【請求項1】レーザ光出力側に位置し共振器の一部を構成する微小開口が形成された金属遮光体を備え、前記微小開口の中心に中心金属体が設けられるとともに、前記微小開口内にレーザ光透過性の材料が埋め込まれてなることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (5)：

H01S 5/183 ,  G11B 7/12 ,  G11B 7/125 ,  G11B 7/22 ,  H01S 5/10

FI (5)：

H01S 5/183 ,  G11B 7/12 ,  G11B 7/125 A ,  G11B 7/22 ,  H01S 5/10

F-Term (17)：

5D119AA01 ,  5D119AA22 ,  5D119BA01 ,  5D119CA06 ,  5D119FA05 ,  5D119FA18 ,  5D119FA19 ,  5D119FA21 ,  5F073AA67 ,  5F073AA83 ,  5F073AB17 ,  5F073BA06 ,  5F073CA05 ,  5F073CB02 ,  5F073DA33 ,  5F073EA05 ,  5F073EA15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平3-003385
  
• エバネセント光ヘッド及び光情報記録再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-168646   Applicant：株式会社日立製作所
• 光ファイバプローブ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-262146   Applicant：財団法人神奈川科学技術アカデミー
• レーザ光源を備えた近視野光学装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-234576   Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
• 走査型プロープ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-079861   Applicant：セイコーインスツルメンツ株式会社, 工業技術院長

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 面発光レーザーによる近接場光生成