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J-GLOBAL ID：200903042910118862
半導体装置の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992267382
Publication number (International publication number)：1994118617
Application date： Oct. 06, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：
【要約】【構成】 レジストパターンの線幅が露光光の波長と同程度であるパターンを露光によりポジ型レジストに形成する際、前記レジストパターンの先端部のみをシフタで規定する半導体装置の製造方法。【効果】 レジストパターンの先端部での、3方向からの光のまわりこみを逆位相の光で打ち消すことができる。つまり、レジストパターンの先端部の露光量が他の部分よりも実効的に増加するという作用を抑制して、露光後のレジストパターンの線幅が、マスクパターンの線幅(縮小投影の場合はマスクパターンの線幅×縮小率)と一致するように露光しても、レジストパターン先端部でのシフト量を抑制することができ、高精度のパターニングを行うことができる。従って、信頼性の高い半導体装置を歩留りよく製造することが可能となる。
Claim (excerpt)：
レジストパターンの線幅が露光光の波長と同程度であるパターンを露光によりポジ型レジストに形成する際、前記レジストパターンの先端部のみをシフタで規定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
