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J-GLOBAL ID：200903042912697835

モード同期半導体レーザ

Inventor： 南部 芳弘
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996240347
Publication number (International publication number)：1998093184
Application date： Sep. 11, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 パルス繰り返し周波数の安定度が低く、ジッタが大きくなってしまう。【解決手段】 利得領域1が、熱的ド・ブロイ波長程度のサイズを有する2次元あるいは3次元キャリア閉じ込め構造の半導体利得材料により形成され、かつ、利得スペクトルが光共振器中の光周回時間の逆数の整数倍の周波数周期で離散的なピークを有するようにキャリア閉じ込め構造の半導体のサイズが制御される。

Claim (excerpt)：

光を発生し増幅させる利得領域と、該利得領域において発生した光を吸収し、それにより自らの吸収係数が減少する可飽和吸収領域とを含む光共振器から構成されるモード同期半導体レーザにおいて、前記利得領域は、熱的ド・ブロイ波長程度のサイズを有する2次元あるいは3次元キャリア閉じ込め構造の半導体利得材料により形成され、かつ、利得スペクトルが光共振器中の光周回時間の逆数の整数倍の周波数周期で離散的なピークを有するようにキャリア閉じ込め構造の半導体のサイズが制御されていることを特徴とするモード同期半導体レーザ。