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J-GLOBAL ID:200903042926896172
成膜方法並びに絶縁膜及び半導体集積回路
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
福森 久夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005040991
Publication number (International publication number):2005210136
Application date: Feb. 17, 2005
Publication date: Aug. 04, 2005
Summary:
【課題】 ホウ素炭素窒素膜を成膜することができる成膜方法を提供する。【解決手段】 円筒状容器1内にプラズマ50を生成し、円筒状容器1内に窒素原子を主に励起した後、ホウ素および炭素と反応させ、基板60にホウ素炭素窒素膜61を成膜する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
成膜室内にプラズマを生成し、成膜室内に窒素原子を主に励起した後、励起された窒素原子をホウ素および炭素と反応させ、基板にホウ素炭素窒素膜を成膜することを特徴とする成膜方法。
IPC (4):
H01L21/318
, C23C16/38
, C23C16/452
, H01L21/768
FI (4):
H01L21/318 B
, C23C16/38
, C23C16/452
, H01L21/90 K
F-Term (28):
4K030AA03
, 4K030AA09
, 4K030BA41
, 4K030BA49
, 4K030CA04
, 4K030FA01
, 4K030HA11
, 4K030HA12
, 4K030HA15
, 4K030JA05
, 4K030JA06
, 4K030LA02
, 4K030LA12
, 5F033RR01
, 5F033RR21
, 5F033RR29
, 5F033SS01
, 5F033SS15
, 5F033TT04
, 5F033XX24
, 5F058BA07
, 5F058BC07
, 5F058BF07
, 5F058BF24
, 5F058BF26
, 5F058BF27
, 5F058BF30
, 5F058BJ02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
-
特開昭63-037637
-
特開昭63-083273
Article cited by the Patent:
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