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J-GLOBAL ID：200903042927043092

III族窒化物系面発光素子およびその製造方法

Inventor： 齊藤 裕久 ,  松原 秀樹 ,  吉本 晋
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (7)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007303158
Publication number (International publication number)：2009130110
Application date： Nov. 22, 2007
Publication date： Jun. 11, 2009
Summary：

【課題】融着法による貼り合わせを行なうことなく製造することを可能としつつ、孔の形状を容易に制御し、かつ種々の構造の発光装置に適用可能なIII族窒化物系面発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】III族窒化物系面発光素子であるフォトニックレーザ1は、GaNからなるn型基板10と、n型基板10の一方の主面10A上に形成され、底壁73Aを有する複数の孔73が周期的に形成されたフォトニック結晶層70とを備えている。底壁73Aは、チタン、ジルコニウムまたはハフニウムの酸化物、窒化物、フッ化物、硼化物または炭化物からなる群から選択される少なくとも1つから構成される被覆層74で覆われており、孔73は、底壁73Aに対向するように形成された閉鎖層72により閉じられている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

少なくとも一方の主面がIII族窒化物からなる基板と、 前記基板の前記少なくとも一方の主面上に形成され、底壁を有する複数の孔が周期的に形成されたフォトニック結晶層とを備え、 前記底壁は、チタン、ジルコニウムまたはハフニウムの酸化物、窒化物、フッ化物、硼化物または炭化物からなる群から選択される少なくとも1つから構成される被覆層で覆われており、 前記孔は、前記底壁に対向するように形成されたエピタキシャル成長層により閉じられている、III族窒化物系面発光素子。

IPC (2)：

H01S 5/12 ,  H01S 5/323

FI (2)：

H01S5/12 ,  H01S5/323 610

F-Term (11)：

5F173AB13 ,  5F173AB30 ,  5F173AB90 ,  5F173AG17 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05 ,  5F173AP19 ,  5F173AP33 ,  5F173AP45 ,  5F173AR81 ,  5F173AR93

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-274364   Applicant：株式会社東芝
• 国際公開第2006/062084号パンフレット