Pat

J-GLOBAL ID：200903042940051290

自励発振型半導体レーザ装置

Inventor： 菅 康夫 ,  谷 健太郎 ,  竹岡 忠士 ,  菅原 章義
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995339697
Publication number (International publication number)：1997181389
Application date： Dec. 26, 1995
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 垂直方向放射角θ⊥を小さく維持したまま、高温で安定に動作する低雑音の自励発振型半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 第1導電型の半導体基板11と、半導体基板11上に設けられ、活性層14を含む積層構造とを備えた自励発振型半導体レーザ装置であって、積層構造は、活性層14の下方に設けられた第1導電型の第1クラッド層13と、活性層の上方に設けられ、ストライプ状リッジ部分を有する第2導電型の第2クラッド層15と、第2クラッド層15上に設けられた可飽和吸収膜18とを含んでいる。可飽和吸収膜18は、光励起キャリアを蓄積する蓄積領域18bを有し、蓄積領域18は、第2クラッド層14の表面から離れた位置に設けられている。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板と、該半導体基板上に設けられ、活性層を含む積層構造とを備えた自励発振型半導体レーザ装置であって、該積層構造は、該活性層の下方に設けられた第1導電型の第1クラッド層と、該活性層の上方に設けられ、ストライプ状リッジ部分を有する第2導電型の第2クラッド層と、該第2クラッド層上に設けられた可飽和吸収膜とを含んでおり、該可飽和吸収膜は、光励起キャリアを蓄積する蓄積領域を有し、該蓄積領域は、該第2クラッド層の表面から離れた位置に設けられている自励発振型半導体レーザ装置。