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J-GLOBAL ID：200903042975073580

n型単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法、人工ダイヤモンドの製造方法

Inventor： 山本 哲也 ,  吉田 博 ,  西松 毅
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Agent (1)： 森 哲也 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997050106
Publication number (International publication number)：1998247624
Application date： Mar. 05, 1997
Publication date： Sep. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】低抵抗のn型単結晶ダイヤモンドを得る。【解決手段】真空チャンバ1内に基板2を設置し、この基板2にCの原子状ガスを供給するとともに、この基板2に向けて、p型ドーパントであるBとn型ドーパントであるNを同時に流しながら、300°C〜650°Cでn型単結晶ダイヤモンド薄膜6を結晶成長させる。

Claim (excerpt)：

n型ドーパントとp型ドーパントを含有しているn型単結晶ダイヤモンド。

IPC (3)：

H01L 21/203 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/04

FI (3)：

H01L 21/203 M ,  C30B 23/08 M ,  C30B 29/04 R