一括消去型不揮発性記憶装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：徳若光政
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993341931
Publication number (International publication number)：1995169288
Application date： Dec. 13, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】動作の高速化を図りつつ、使い勝手を良くした一括消去型不揮発性記憶装置を提供する。【構成】コントロールゲートと基板との間での相対的な電位関係によりトンネル絶縁膜を介して基板側からフローティングゲートに電荷を注入して消去動作を行い、上記コントロールゲートとドレインとの相対的な電位関係により上記トンネル絶縁膜を介してフローティングゲートからドレイン側に電荷を放出させて書込み動作を行う記憶トランジスタをワード線とデータ線との交点にマトリックス配置してメモリアレイを構成し、このメモリアレイのデータ線に対応してラッチ回路を設け、上記コントロールゲートが結合されるワード線の単位での消去動作、及び上記ラッチ回路を介してワード線単位での書込み動作と読み出し動作を行うようにする。

Claim (excerpt)：

コントロールゲートと基板との間での相対的な電位関係によりトンネル絶縁膜を介して基板側からフローティングゲートに電荷を注入して消去動作を行い、上記コントロールゲートとドレインとの相対的な電位関係により上記トンネル絶縁膜を介してフローティングゲートからドレイン側に電荷を放出させて書込み動作を行う記憶トランジスタがワード線とデータ線との交点にマトリックス配置されてなるメモリアレイと、上記メモリアレイのデータ線に対応して設けられたラッチ回路とを備え、上記コントロールゲートが結合されるワード線の単位での消去動作、及び上記ラッチ回路を介してワード線単位での書込み動作と読み出し動作とが可能にされてなる一括消去型不揮発性記憶装置。

IPC (5)：

G11C 16/06 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4)：

G11C 17/00 530 D , G11C 17/00 510 F , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開平2-260455
特開平2-023595
不揮発性半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-181267 Applicant：株式会社東芝

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