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J-GLOBAL ID：200903042990775036

合成ゼオライト薄膜の形成方法

Inventor： 難波 竹巳
Applicant, Patent owner： エヌオーケー株式会社
Agent (1)： 吉田 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993135270
Publication number (International publication number)：1994321527
Application date： May. 13, 1993
Publication date： Nov. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 セラミックス多孔質基質上に直接合成ゼオライト層を形成させる方法であって、ゼオライト層の膜厚をより薄くせしめることのできる合成ゼオライト薄膜の形成方法を提供する。【構成】 SiO2、Al2O3、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の酸化物および水よりなる合成母液中にセラミックス多孔質基質を浸漬した後、耐圧容器中に封入し、0.5〜5°C/分の昇温速度で水熱合成温度迄昇温させ、160〜200°Cの水熱合成温度に保持して、セラミックス多孔質基質上へ合成ゼオライト薄膜を形成させる。

Claim (excerpt)：

SiO2、Al2O3、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の酸化物および水よりなる合成母液中にセラミックス多孔質基質を浸漬した後、耐圧容器中に封入し、0.5〜5°C/分の昇温速度で水熱合成温度迄昇温させ、160〜200°Cの水熱合成温度に保持することを特徴とするセラミックス多孔質基質上への合成ゼオライト薄膜の形成方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-107902
  
• ゼオライト結晶体の合成膜およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-059179   Applicant：日本碍子株式会社
• 特開平3-205312