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J-GLOBAL ID：200903042991828915

磁気抵抗素子

Inventor： 宮崎 照宣 ,  越村 正己
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994205393
Publication number (International publication number)：1996070148
Application date： Aug. 30, 1994
Publication date： Mar. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 室温における抵抗変化率(ΔR/R)が10%以上であって弱磁場における感度が良好で、出力波形を方形波に波形整形する必要がない。またその動作点を偏倚させる必要がなく、構造及び回路構成が簡単で小型化し得る。【構成】 2つの強磁性薄膜11及び12を薄い絶縁層を含む非磁性膜13を挟んで接合し、これにより生じる強磁性トンネル接合を利用した磁気抵抗素子10に関し、強磁性薄膜11,12はそれぞれの磁化容易軸M1,M2が互いに平行になるように設けられ、薄膜11の磁化容易軸方向の保磁力が薄膜12の磁化容易軸方向の保磁力より、好ましくは2倍を越えない程度に大きく、薄膜11及び薄膜12の各磁化曲線が角形状のヒステリシス曲線を有し、全体の磁化曲線が階段状で角形状のヒステリシス曲線であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第1強磁性薄膜(11)と第2強磁性薄膜(12)とを薄い絶縁層を含む非磁性膜(13)を挟んで接合し、これにより生じる強磁性トンネル接合を利用した磁気抵抗素子(10)において、前記第1及び第2強磁性薄膜(11,12)はそれぞれの磁化容易軸(M1,M2)が互いに平行になるように設けられ、前記第1強磁性薄膜(11)の磁化容易軸方向の保磁力が前記第2強磁性薄膜(12)の磁化容易軸方向の保磁力より大きく、前記第1強磁性薄膜(11)及び前記第2強磁性薄膜(12)のそれぞれの磁化曲線が角形状のヒステリシス曲線を有し、全体の磁化曲線が階段状で角形状のヒステリシス曲線であることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (4)：

H01L 43/08 ,  G01D 5/245 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39