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J-GLOBAL ID：200903042995866242

電子デバイス

Inventor： 西村 伸 ,  斎藤 俊郎 ,  高橋 昭雄
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995228792
Publication number (International publication number)：1996130212
Application date： Sep. 06, 1995
Publication date： May. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】高い耐電圧を示す有機絶縁薄膜を用い、電子デバイスの性能向上を図る。【構成】電子素子を含む部材及びその表面に形成された有機絶縁薄膜よりなる電子デバイスにおいて、その絶縁薄膜が部材の表面に対し実質的に垂直に主鎖が配列した構造を持つ含フッ素ポリマーよりなり、かつ1×108V/m 以上の絶縁強度を持つ有機絶縁薄膜を用いたことを特徴とする電子デバイス。含フッ素ポリマーはポリ(ヘキサフルオロ-1,3-ブタジェン)が特に好ましく、真空蒸着法,スピンコート法またはキャスト法等により製膜される。

Claim (excerpt)：

電子素子を含む部材及び該部材表面に形成された有機絶縁薄膜よりなる電子デバイスにおいて、該絶縁薄膜が部材の表面に対し実質的に垂直に主鎖が配列した構造である含フッ素ポリマーよりなり、かつ1×108V/m 以上の絶縁強度を持つ有機絶縁薄膜を用いたことを特徴とする電子デバイス。

IPC (4)：

H01L 21/312 ,  C23C 14/12 ,  H01L 21/31 ,  C08F 36/16 MPL