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J-GLOBAL ID：200903043005888766

半導体基板の洗浄方法および洗浄装置

Inventor： 菅野 至 ,  渡辺 真之
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社 ,  三菱化学株式会社
Agent (1)： 長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994116532
Publication number (International publication number)：1995326599
Application date： May. 30, 1994
Publication date： Dec. 12, 1995
Summary：

【要約】【構成】 半導体基板を洗浄するに際し、洗浄槽から抜き出した洗浄液中の微粒子数をレーザー散乱式微粒子計で連続的に測定し、洗浄液中の微粒子数(好ましくは粒径0.1μm以上の微粒子数)が所定値を越えると洗浄を中止し、微粒子数が所定値以下になるまで洗浄槽の循環ろ過を行ない、その後洗浄を再開することを特徴とする、半導体基板の洗浄方法、及びそれに用いられる装置。【効果】 洗浄液中の微粒子の粒径分布、およびその個数を管理制御することにより、洗浄後の基板表面の微粒子個数を常に一定の範囲内に再現性良く保つことができる。また、洗浄液の交換の判断を実際の液中微粒子個数をもって行なうため、薬品の使用量の最適化が達成され、コストの削減も図ることができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板を洗浄するに際し、洗浄槽から抜き出した洗浄液中の微粒子数をレーザー散乱式微粒子計で連続的に測定し、洗浄液中の微粒子数が所定値を越えると洗浄を中止し、微粒子数が所定値以下になるまで洗浄槽の循環ろ過を行ない、その後洗浄を再開することを特徴とする、半導体基板の洗浄方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304