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J-GLOBAL ID：200903043006307490

樹脂封止型半導体装置の製法

Inventor： 江口 州志 ,  尾形 正次 ,  石井 利昭 ,  小角 博義 ,  茂木 亮
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高橋 明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993233263
Publication number (International publication number)：1995094640
Application date： Sep. 20, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【構成】半導体チップまたは半導体チップを搭載したリードフレームと、それを樹脂封止する金型との最小間隙が50〜100μmである金型を用いてフィラ入り樹脂で封止する樹脂封止型半導体装置の製法において、最大粒径50μm以上の粗粒含有率が2重量%以下である平均粒径5〜10μmのフィラ70〜95重量部と、平均粒径0.5〜3μmのフィラ30〜5重量部とからなる充填材を40〜90容量%含む封止用樹脂組成物で封止する方法にある。【効果】上記粒径の充填材を配合した封止樹脂組成物が金型内の流路径の狭い部分で目づまりせず、さらに微小な金型の合わせ目やエアーポット部を適度に目づまりさせることによって、バリの発生が防止できるので同じ金型による連続成形性がよく、低圧トランスファ成形も可能で量産性に優れている。

Claim (excerpt)：

半導体チップまたは半導体チップを搭載したリードフレームと、それを樹脂封止する金型との最小間隙が50〜100μmである金型を用いてフィラ入り樹脂で封止する樹脂封止型半導体装置の製法において、最大粒径50μm以上の粗粒含有率が2重量%以下である平均粒径5〜10μmのフィラ70〜95重量部と、平均粒径0.5〜3μmのフィラ30〜5重量部とからなる充填材を40〜90容量%含む封止用樹脂組成物で封止することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製法。

IPC (4)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08K 3/00 ,  C08L101/00 KAA