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J-GLOBAL ID：200903043011832330
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994040522
Publication number (International publication number)：1994296020
Application date： Feb. 15, 1994
Publication date： Oct. 21, 1994
Summary：
【要約】【目的】 実質的にアモルファス状態のシリコン膜を通常のアモルファスシリコンの結晶化温度より低い温度、もしくは基板のガラス転移点より低い温度でのアニールによって結晶化させ、薄膜トランジスタ等の半導体素子を作製する方法を提供する。【構成】 アモルファスシリコン膜の上もしく下に選択的に島状、線状、ストライプ状、ドット状のニッケル、鉄、コバルト、白金もしくはそれらの珪化物、各種塩等を有する被膜、粒子、クラスター等を形成し、通常のアモルファスシリコンの結晶化温度より低い温度、もしくは基板のガラス転移点より低い温度でアニールすることによって、これを出発点として結晶化を進展させ、結晶シリコン膜を得る。さらに、この結晶シリコン膜を用いて薄膜トランジスタ等の半導体素子を形成する。
Claim (excerpt)：
基板上に選択的にニッケル、鉄、コバルト、白金、パラジウムの少なくとも1つを含有する物体を形成する第1の工程と、前記工程後、実質的にアモルファス状態のシリコン膜を形成する第2の工程と、第2の工程の後に基板をアニールする第3の工程と、前記シリコン膜を島状にパターニングする第4の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5)：
H01L 29/784
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 21/268
, H01L 21/324
Cited by examiner (6)
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