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J-GLOBAL ID：200903043017277401

半導体デバイス並びにそのダイボンド装置及びダイボンド方法

Inventor： 中西 誠
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001000407
Publication number (International publication number)：2002203865
Application date： Jan. 05, 2001
Publication date： Jul. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、環境への配慮からPbを含有する接合材を用いないことに加えて、その他の接合材をも一切使用しない、又は、使用したとしても極少量の使用に限定された安価な接合材レスの半導体デバイス並びにそのダイボンド装置及びダイボンド方法を提供することにある。【解決手段】 ダイ1とダイパッド2との対向面1a、2aを固定してなる半導体デバイスにおいて、対向面1a、2aの少なくとも一部に中空部3を設けて、3中空部の内圧を外圧より低く保持してダイ1とダイパッド2とを固定したものである。

Claim (excerpt)：

ダイとダイパッドとの対向面を固定してなる半導体デバイスにおいて、前記対向面の少なくとも一部に中空部を設けて、該中空部の内圧を外圧より低く保持して前記ダイとダイパッドとを固定したことを特徴とする半導体デバイス。

FI (2)：

H01L 21/52 C ,  H01L 21/52 F

F-Term (6)：

5F047AA11 ,  5F047AA13 ,  5F047BA00 ,  5F047FA01 ,  5F047FA21 ,  5F047FA31