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J-GLOBAL ID：200903043020222669

半導体発光素子の製造方法

Inventor： 岡川 広明 ,  宮下 啓二 ,  大内 洋一郎 ,  只友 一行
Applicant, Patent owner： 三菱電線工業株式会社
Agent (1)： 高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996338443
Publication number (International publication number)：1998178201
Application date： Dec. 18, 1996
Publication date： Jun. 30, 1998
Summary：

【要約】【課題】 サファイア基板を用いた従来のGaN系半導体発光素子が有する小発光面積や劈開による共振器面作製不可などの問題が解決されたGaN系半導体発光素子の製造方法を提供することにある。【解決手段】 サファイアなどの種基板の上にInX GaY AlZ Nからなる発光部を積層し、その上にInX GaY AlZ Nからなる基板用層を形成し、その後に種基板を除去して上記の基板用層を基板とする半導体発光素子を得る製造方法。【効果】 GaN系基板を有する青色のLED、LDを製造し得る。基板が導電性であるので、その上下面側にp、n両電極を形成することができ、高輝度のLED、LDが得られる。またGaN系基板の劈開性を利用して高性能のLDを容易に製造することもできる。

Claim (excerpt)：

種基板の上にInX GaY AlZ N(ここに0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1、X+Y+Z=1)からなる発光部が積層される発光部積層工程、発光部の上にInX GaY AlZ N(ここに0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1、X+Y+Z=1)からなる基板用層を形成する基板積層工程、および種基板を除去する種基板除去工程とからなることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  C30B 35/00 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  C30B 35/00 ,  H01S 3/18