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J-GLOBAL ID：200903043021638508

不揮発性半導体記憶装置

Inventor： 田中 義幸 ,  田中 智晴 ,  百冨 正樹 ,  伊藤 寧夫 ,  岩田 佳久
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991264582
Publication number (International publication number)：1993109292
Application date： Oct. 14, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】製造歩留まり向上を図ったNANDセル型EEPROMを提供することを目的とする。【構成】NANDセル型EEPROMにおいて、NANDセルブロック単位で不良を救済する冗長回路を備えたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板に電荷蓄積層と制御ゲートが積層形成され、電荷蓄積層と基板間の電荷授受により電気的書換えを可能としたメモリセルが複数個ずつ直列接続されてNANDセルを構成してマトリクス配列されたセルアレイを有し、NANDセルブロック単位で置き換えを行なう冗長回路を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2)：

G11C 16/06 ,  G11C 29/00 301

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-210697
  
• 特開平2-276098
  
• 特開平3-088200