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J-GLOBAL ID：200903043042830514

基板依存性改善剤

Inventor： 浦野 文良 ,  片野 直樹 ,  桐生 知子
Applicant, Patent owner： 和光純薬工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000161501
Publication number (International publication number)：2001174982
Application date： May. 31, 2000
Publication date： Jun. 29, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】SiN、TiN、SiON、BPSG等の特殊基板上でも矩形パターンを形成でき、寸法制御性に優れ、且つ溶液安定性がある化学増幅型レジスト組成物の提供。【解決手段】(1)で示されるヒドロキシカルボン酸エステル化合物を含んで成る、レジストの基板依存性改善剤。[式中、R41は水素原子又はメチル基を表し、R42は水素原子、メチル基、エチル基又はフェニル基を表し、R43は炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表し、nは0又は1を表す。]

Claim (excerpt)：

下記一般式[1]【化1】[式中、R41は水素原子又はメチル基を表し、R42は水素原子、メチル基、エチル基又はフェニル基を表し、R43は炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表し、nは0又は1を表す。]で示される化合物を含んで成る、レジストの基板依存性改善剤。

IPC (3)：

G03F 7/004 501 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 601

FI (3)：

G03F 7/004 501 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 601

F-Term (16)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA11 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB41 ,  2H025CC03 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025DA18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-110395   Applicant：信越化学工業株式会社
• 感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-253741   Applicant：日本合成ゴム株式会社
• 感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-329642   Applicant：ジェイエスアール株式会社