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J-GLOBAL ID：200903043056759472
半導体レ-ザ基板の劈開方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998096641
Publication number (International publication number)：1999274653
Application date： Mar. 25, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：
【要約】【課題】 半導体レ-ザ基板を劈開分離する際、良好な生産性を有し、高い歩留りを有する半導体レ-ザ基板の劈開方法を提供する。【解決手段】 少なくとも、活性層3を含む半導体レ-ザ基板1の一端1aから他端1b方向に向かって形成された複数のスクライブ傷61 、62 、...、6n から生じる劈開溝に沿って劈開分離して、複数の半導体レ-ザバ-7を作製し、また、各半導体レ-ザバ-7を前記劈開溝方向と異なる方向に複数分割して、各半導体レ-ザ素子9を形成する半導体レ-ザ基板1の劈開方法であって、スクライブ傷61 、62 、...、6n を活性層と略直交方向に大から小なる長さl1 、l2、...、ln に順次形成し、この大から小なる長さl1 、l2 、...、ln に形成されたスクライブ傷61 、62 、...、6n の方向に向かって半導体レ-ザ基板1を順次劈開する。
Claim (excerpt)：
少なくとも、活性層を含む半導体レ-ザ基板の端部に形成された複数のスクライブ傷から生じる劈開溝に沿って劈開分離して、複数の半導体レ-ザバ-を作製し、また、各半導体レ-ザバ-を前記劈開溝方向と異なる方向に複数分割して、各半導体レ-ザ素子を形成する半導体レ-ザ基板の劈開方法であって、前記スクライブ傷を前記活性層と略直交する方向に大から小なる長さに順次形成し、この大から小なる長さに形成された前記スクライブ傷方向に向かって、前記半導体レ-ザ基板の劈開を順次行うことを特徴とする半導体レ-ザ基板の劈開方法。
IPC (2)：
FI (2)：
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