Pat

J-GLOBAL ID：200903043061469300

有機薄膜の微細パターンの作製方法

Inventor： 大野 公隆 ,  藤岡 一志 ,  山中 幹宏 ,  御手洗 郷子 ,  徳本 洋志
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社 ,  工業技術院長
Agent (2)： 林 宏 (外1名) ,  工業技術院産業技術融合領域研究所長 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997282782
Publication number (International publication number)：1999112062
Application date： Sep. 30, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】 自己組織化分子を用いて微細な有機複合パターンを形成すること。【解決手段】 GaAsよりなるエピタキシャル層2とAlx Ga(1-x) Asよりなるエピタキシャル層3との積層体1を、オクタデカンチオール(ODT)を溶解したエタノール溶液中で劈開する。劈開した面におけるエピタキシャル層2の(110)面にODT分子が選択的に吸着され、エピタキシャル層2の厚さに対応したODT分子のラインが得られる。さらに、積層体1を十分乾燥後、12-ドデシルビスフォスフォン酸溶液に浸漬することで、Alx Ga1-x As層(第2の層3)上にのみ12-ドデシルビスフォスフォン酸の自己組織化分子を化学吸着し、面内に異なる種類の自己組織化分子が混在したパターンを形成することができる。さらに、吸着させる自己組織化分子を選び、適切な化学処理を施すことで、ナノメートルサイズの各種有機膜を形成できる。

Claim (excerpt)：

自己組織化分子の化学吸着性が互いに異なり互いに隣接する面、あるいは互いに異なる結晶体の互いに隣接する面を、非酸化雰囲気内で被処理体に形成する第1工程と、次いで、自己組織化分子が分子状態で流動している雰囲気内に前記互いに隣接する面を置き、これにより自己組織化分子を被処理体に化学吸着させる第2工程と、その後、前記被処理体を洗浄して当該被処理体に付着した過剰な自己組織化分子を除去し、自己組織化分子のパターンを得る第3工程と、前記被処理体を洗浄して、当該被覆体に過剰に付着した自己組織化分子を除去し、第3工程において自己組織化分子で被覆されない被処理体部に化学吸着させる第4工程と、その後、前記被処理体を洗浄して当該被覆体に過剰に付着した自己組織化分子を除去し、自己組織化分子のパターンを得る第5工程と、を含むことを特徴とする有機薄膜の微細パターンの作製方法。

IPC (3)：

H01L 51/00 ,  G03F 7/11 ,  G03F 7/38 501

FI (3)：

H01L 29/28 ,  G03F 7/11 ,  G03F 7/38 501