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J-GLOBAL ID：200903043064668265

高周波熱プラズマ流の均質化方法

Inventor：
石垣 隆正

About 石垣 隆正


Applicant, Patent owner：
独立行政法人物質・材料研究機構

About 独立行政法人物質・材料研究機構


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002379733
Publication number (International publication number)：2004213942
Application date： Dec. 27, 2002
Publication date： Jul. 29, 2004
Summary：
【課題】高周波熱プラズマ流の均質化、特に、半径方向の流速分布、温度分布の平坦化を図る。【解決手段】シースガス(1)、セントラルガス(2)及び原料搬送ガス(3)の3系統のガスを供給し、圧力100Torr〜760Torrで発生させ、3000°Cより高い温度を有する高周波誘導熱プラズマ(4)のプラズマ尾炎部に、水平面上で半径方向に対し45°以上の角度で旋回流(5)を供給し、かつ旋回流のガス供給量をシースガス、セントラルガス及び原料搬送ガスの3系統のガス供給量の総計の50%以下とし、旋回流の向きを水平面から下方向の傾角30°以下とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
シースガス、セントラルガス及び原料搬送ガスの3系統のガスを供給し、圧力100Torr〜760Torrで発生させ、3000°Cより高い温度を有する高周波誘導熱プラズマのプラズマ尾炎部に、水平面上で半径方向に対し45°以上の角度で旋回流を供給し、かつ旋回流のガス供給量をシースガス、セントラルガス及び原料搬送ガスの3系統のガス供給量の総計の50%以下とし、旋回流の向きを水平面から下方向の傾角30°以下とすることを特徴とする高周波熱プラズマ流の均質化方法。
IPC (3)：
H05H1/30 ,  B01J19/08 ,  H05H1/42
FI (3)：
H05H1/30 ,  B01J19/08 E ,  H05H1/42
F-Term (7)：
4G075AA03 ,  4G075AA27 ,  4G075CA47 ,  4G075DA02 ,  4G075DA18 ,  4G075EE02 ,  4G075FA12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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