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J-GLOBAL ID：200903043076018703

半導体集積回路装置およびその製造方法

Inventor： 大湯 静憲 ,  池田 良広 ,  岡崎 勉
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999108973
Publication number (International publication number)：2000299447
Application date： Apr. 16, 1999
Publication date： Oct. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】 高信頼度のMISFETを有する半導体集積回路装置を実現することのできる技術を提供する。【解決手段】 MISFETのチャネルの中央部におけるしきい値電圧制御層33,34のボロン濃度を、チャネルの端部におけるしきい値電圧制御層33,34のボロン濃度よりも高く設定する。

Claim (excerpt)：

MISトランジスタのチャネルの中央部におけるしきい値電圧制御層の不純物濃度が、前記チャネルの端部におけるしきい値電圧制御層の不純物濃度に比して相対的に高いことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/78

FI (4)：

H01L 27/10 671 Z ,  H01L 21/265 V ,  H01L 21/265 F ,  H01L 29/78 301 H

F-Term (46)：

5F040DA06 ,  5F040DB03 ,  5F040DB09 ,  5F040EA08 ,  5F040EC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EC13 ,  5F040EE05 ,  5F040EF02 ,  5F040EH03 ,  5F040EK05 ,  5F040FA07 ,  5F040FA16 ,  5F040FA18 ,  5F040FB02 ,  5F040FB04 ,  5F040FC11 ,  5F040FC13 ,  5F040FC21 ,  5F040FC22 ,  5F083AD01 ,  5F083AD10 ,  5F083AD42 ,  5F083AD48 ,  5F083GA05 ,  5F083GA21 ,  5F083GA27 ,  5F083GA30 ,  5F083JA06 ,  5F083JA32 ,  5F083JA35 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR29 ,  5F083PR33 ,  5F083PR36 ,  5F083PR37 ,  5F083PR40 ,  5F083PR43 ,  5F083PR53 ,  5F083ZA12