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J-GLOBAL ID：200903043077699976

3族窒化物半導体レーザの製造方法

Inventor： 小池 正好 ,  小出 典克 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社 ,  新技術事業団 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994106058
Publication number (International publication number)：1995297496
Application date： Apr. 20, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】AlxGaYIn1-X-YN(X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) で表される3族窒化物半導体レーザの鏡面を容易に得ること。【構成】サファイア基板上の一部の領域に酸化亜鉛(ZnO)2を、他の部分に窒化アルミニウム(AlN)8から成る中間層を形成し、その中間層の上に3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) の複数の層3,4,5からなる半導体レーザ素子層を形成し、酸化亜鉛のみをエッチングする溶液を用いた湿式エッチングにより酸化亜鉛(ZnO)の中間層2のみを除去して、サファイア基板1と半導体レーザ素子層の最下層3との間に間隙20を形成し、半導体レーザ素子層を間隙20を利用してへき開し、そのへき開面をレーザの共振器の鏡面とすることにより、3族窒化物半導体レーザを製造する方法。

Claim (excerpt)：

サファイア基板上の一部の領域に酸化亜鉛(ZnO)を、他の部分に窒化アルミニウム(AlN)から成る中間層を形成し、その中間層の上に3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む)の複数の層からなる半導体レーザ素子層を形成し、酸化亜鉛のみをエッチングする溶液を用いた湿式エッチングにより前記酸化亜鉛(ZnO)の中間層のみを除去して、前記サファイア基板と前記半導体レーザ素子層の最下層との間に間隙を形成し、前記半導体レーザ素子層を前記間隙を利用してへき開し、そのへき開面をレーザの共振器の鏡面とすることにより、3族窒化物半導体レーザを製造する方法。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00