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J-GLOBAL ID：200903043086174134

プラズマCVD方法

Inventor： 宮本 孝章
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994139765
Publication number (International publication number)：1996008212
Application date： Jun. 22, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 微細でアスペクト比の大きな接続孔内へ、含有塩素量が小さく、ステップカバレッジに優れたTiNバリアメタル層を形成するプラズマCVD方法を提供する。【構成】 低TiCl4 分圧のプラズマCVDによる第1のTiN層51と、高TiCl4 分圧のプラズマCVDによる第2のTiN層52を連続して形成する2段階プラズマCVDを採用する。【効果】 下地Ti層4との界面に偏析しやすい塩素量を低減でき、Al系金属層6のアフターコロージョンを防止できる。また低塩素量なのでコンタクト抵抗の減少にも寄与する。

Claim (excerpt)：

Ti系ガス、H2 および窒素系ガスを含む混合ガスを用いて被処理基板上にTiNを形成するプラズマCVD方法において、該混合ガス中の前記Ti系ガスの混合比を小とした第1のプラズマCVD工程と、該混合ガス中の前記Ti系ガスの混合比を大とした第2のプラズマCVD工程とをこの順に施すことを特徴とする、プラズマCVD方法。

IPC (3)：

H01L 21/285 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/34