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J-GLOBAL ID：200903043086739530
シリコンウエハ表面の処理方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
田村 巌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992220622
Publication number (International publication number)：1994041770
Application date： Jul. 27, 1992
Publication date： Feb. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 シリコンウエハ表面を洗浄処理又はエツチング処理する方法において、シリコンウエハ表面の微粒子による汚染を防止するシリコンウエハ表面の処理方法を提供する。【構成】 フツ化水素酸、塩酸、硝酸、過酸化水素水、酢酸、フツ化アンモニウム、リン酸の少なくとも1種を含む処理液によりシリコンウエハ表面を洗浄処理又はエツチング処理する方法において、該処理液に界面活性剤を添加して該処理液中の微粒子のゼータ電位を+30mV以下に維持し、その処理液により処理してシリコンウエハ表面の微粒子による汚染を防止する上記処理方法。
Claim (excerpt)：
フツ化水素酸、塩酸、硝酸、過酸化水素水、酢酸、フツ化アンモニウム、リン酸の少なくとも1種を含む処理液によりシリコンウエハ表面を洗浄処理又はエツチング処理する方法において、該処理液に界面活性剤を添加して該処理液中の微粒子のゼータ電位を+30mV以下に維持し、その処理液により処理してシリコンウエハ表面の微粒子による汚染を防止する上記処理方法。
IPC (2)：
C23F 1/24
, H01L 21/304 341
