Pat

J-GLOBAL ID：200903043098395454

半導体ウェハ検査方法及び半導体ウェハ検査装置

Inventor： 山口 善三 ,  前田 哲男
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
Agent (1)： 半田 昌男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997049437
Publication number (International publication number)：1998246704
Application date： Mar. 04, 1997
Publication date： Sep. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ウェハの最終段階の検査について、ばらつきのない均一な精度を維持しながら検査員の負担を軽減することができる半導体ウェハの検査方法を提供する。【解決手段】 本実施形態の検査は「本検査」と「再検査」からなる。本検査工程は画像処理を用いた自動検査工程であり、再検査は検査員が目視で検査する検査工程である。本検査はすべてのウェハに対して行われるが、再検査は、本検査において不良品と判断されたウェハに対してのみ行われる。再検査の結果良品と判断されたウェハは製品として出荷される。一方、再検査の結果不良品と判断されたウェハはラインから排除される。

Claim (excerpt)：

半導体ウェハの画像を取り込む工程と、前記半導体ウェハの画像に基づいて前記半導体ウェハの自動検査を実行し、良品又は不良品の判断を自動的に行う工程と、前記画像に基づく自動検査の結果不良品と判断された半導体ウェハについて、検査員による目視検査を行う工程と、を具備することを特徴とする半導体ウェハ検査方法。

IPC (3)：

G01N 21/88 ,  G01N 21/84 ,  H01L 21/66

FI (5)：

G01N 21/88 E ,  G01N 21/84 D ,  H01L 21/66 J ,  H01L 21/66 A ,  H01L 21/66 Z