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J-GLOBAL ID：200903043108249087
プラズマエツチング方法および装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991197731
Publication number (International publication number)：1993047709
Application date： Aug. 07, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】パターン寸法がミリメートル単位の化学的エッチングを行う加工要素技術に関する。【構成】高周波電極2と被処理材1を適当な間隔に保ち、圧力及び印加する高周波電力4を制御し、かつ高周波電極2の構造により、あるいは両者の間にマスクスペ-サを設ける構成とすることで局所的なエッチングを行うもので、また被処理材と高周波電極のいずれかを水平移動させることにより2次元的なエッチングプロファイルを、さらには高周波電極と被処理材との間隔を制御することで、高周波電極の形状を被処理材に転写したような3次元エッチングプロファイルを形成できる方法、装置である。
Claim (excerpt)：
ハロゲンなど電気陰性度の大きなガス雰囲気内で、高周波電極に高周波を印加して被処理材をエッチングするドライエッチング方法において、前記高周波電極と近接した該被処理材との一部にプラズマを発生させ、そのプラズマの発生した部分を主としてエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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