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J-GLOBAL ID：200903043116973894

共形HリッチSi3N4層の形成方法

Inventor： クリストフ・バルサン ,  コリンヌ・ビューシェ ,  パトリック・ラファン ,  ステァーヌ・ティオリエール
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
Agent (1)： 坂口 博 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001223877
Publication number (International publication number)：2002110673
Application date： Jul. 25, 2001
Publication date： Apr. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】 共形HリッチSi3N4層を付着させる改良された方法を提供する。【解決手段】 0.18ミクロン以下のグラウンド・ルールを有するEDRAM/SDRAMシリコン・チップの製造において、ボーダレス・ポリシリコン・コンタクトの製造中に、パターニングされた構造の上にSi3N4バリア層を付着させる。接合リークを防ぐために、この層が共形で、高い水素原子含量を有することが必要である。これらの目的は、本発明の方法によって達成される。第1の実施形態では、Si3N4層を、高速熱化学蒸着(RTCVD)リアクタ中でNH3/SiH4ケミストリを使用して温度600〜950°C、圧力50〜200Torrの範囲で付着させる。第2の実施形態では、Si3N4層を、低圧化学蒸着(LPCVD)炉中でNH3/SiH2Cl2ケミストリ(好ましくは1:1)を使用して温度640〜700°C、圧力0.2〜0.8Torrの範囲で付着させる。

Claim (excerpt)：

パターニングされた構造上に共形HリッチSi3N4層を付着させる方法であって、a)ゲート導体(GC)線がその上に形成された薄いSiO2ゲート層で覆われ、隣接する2本のGC線間に形成された少なくとも1つの拡散領域を有するシリコン基板から成るパターニングされた構造を用意する段階と、b)前記構造上に共形HリッチSi3N4層を、高速熱化学蒸着(RTCVD)リアクタ中でSi前駆体ベースのケミストリを使用して温度600〜950°C、圧力50〜200Torrの範囲で付着させる段階とを含む方法。

IPC (3)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (2)：

H01L 21/318 B ,  H01L 27/10 625 A

F-Term (14)：

5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD07 ,  5F058BD10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF17 ,  5F058BF23 ,  5F058BF27 ,  5F058BF30 ,  5F058BF36 ,  5F058BH12 ,  5F058BJ02 ,  5F083AD17 ,  5F083PR21