Pat

J-GLOBAL ID：200903043125388775

化合物半導体結晶の成長方法

Inventor： 大堀 達也
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993050026
Publication number (International publication number)：1994244112
Application date： Feb. 16, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 Si基板上のIII-V族化合物半導体結晶の成長方法に関し、表面形状(モホロジ)を改善することのできるSi基板上のIII-V族化合物半導体結晶の成長方法を提供することを目的とする。【構成】 Si基板上に第1の単結晶III-V族化合物半導体層を成長する第1成長工程と、前記第1の単結晶III-V族化合物半導体層を研磨して、研磨表面を得る工程と、III族原料として初期にはIII族原子にエチル基が結合した原料を少なくとも一部用い、その後にはIII族原子にメチル基が結合した原料を一部用いて、前記研磨表面上に第2の単結晶III-V族化合物半導体層を有機金属気相成長法で成長する第2成長工程とを含む。

Claim (excerpt)：

Si基板上に第1の単結晶III-V族化合物半導体層を成長する第1成長工程と、前記第1の単結晶III-V族化合物半導体層を研磨して、研磨表面を得る工程と、III族原料として初期にはIII族原子にエチル基が結合した原料を少なくとも一部用い、その後にはIII族原子にメチル基が結合した原料を一部用いて、前記研磨表面上に第2の単結晶III-V族化合物半導体層を有機金属気相成長法で成長する第2成長工程とを含む化合物半導体結晶の成長方法。