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J-GLOBAL ID：200903043163366700
半導体装置用基板
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小松 秀岳 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992325582
Publication number (International publication number)：1994013494
Application date： Jul. 26, 1982
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：
【要約】【目的】 搭載した半導体素子より発生する熱を効率よく放熱すると共に、Al2O3系セラミック外囲器材料と熱膨張係数が近似しており、気密性に富んだ半導体装置のための基板を提供する。【構成】 タングステンまたはモリブデンの強固で緻密な骨格をなす多孔質の焼結体の空孔部に、溶浸法によりタングステン焼結体の場合、銅を5〜22重量%、モリブデン焼結体の場合銅を10〜25重量%隙間なく充填させて含有させてその熱膨張係数を外囲器材料のアルミナ系セラミックの熱膨張係数に合致させると共に溶浸後の焼結体密度比を実質100%としたことを特徴とする半導体素子搭載用の半導体装置用基板。
Claim (excerpt)：
タングステンまたはモリブデンの強固で緻密な骨格をなす多孔質の焼結体の空孔部に、溶浸法によりタングステン焼結体の場合、銅を5〜22重量%、モリブデン焼結体の場合銅を10〜25重量%隙間なく充填させて含有させてその熱膨張係数を外囲器材料のアルミナ系セラミックの熱膨張係数に合致させると共に溶浸後の焼結体密度比を実質100%としたことを特徴とする半導体素子搭載用の半導体装置用基板。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 23/14 M
, H01L 23/36 M
