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J-GLOBAL ID：200903043178652784

ネガ型フォトレジスト組成物及びパターン形成方法

Inventor： 岩佐 繁之 ,  前田 勝美 ,  長谷川 悦雄
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 木村 満
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002262870
Publication number (International publication number)：2003177535
Application date： Mar. 30, 1999
Publication date： Jun. 27, 2003
Summary：

【要約】【課題】 ArFエキシマレーザ光等の220nm以下の光を露光光に用いたリソグラフィ用として好適に用いられる、ドライエッチング耐性、高解像性に加え、膨潤によるパターン変形及び基板密着性(微細なパターンが基板から剥がれにくい)を兼ね備えた実用性が高いネガ型フォトレジストを提供する。【解決手段】下記式(1)に示す繰り返し単位を有するジオール構造を含有してなる重合体と、下記式(7)に示す官能基を含む化合物からなる架橋剤と、露光により酸を発生する光酸発生剤とを含有することを特徴とするネガ型フォトレジスト組成物。【化1】【化2】

Claim (excerpt)：

下記式(1)に示す繰り返し単位を有するジオール構造を含有してなる重合体と、下記式(7)に示す官能基を含有してなる架橋剤と、露光により酸を発生する光酸発生剤とを含有することを特徴とするネガ型フォトレジスト組成物。【化1】[式(1)中、R1は水素原子又はメチル基、R2は炭素数2から6のアルキレン基、Xはジオール構造を有する脂環式アルキル基をそれぞれ示す。]【化2】[式(7)中、R14は水素原子、炭素数1から6のアルキル基又は炭素数3から6のオキソアルキル基を示す。]

IPC (4)：

G03F 7/038 601 ,  C08F 20/28 ,  C08G 12/12 ,  H01L 21/027

FI (4)：

G03F 7/038 601 ,  C08F 20/28 ,  C08G 12/12 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (48)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC17 ,  2H025FA17 ,  4J033EA13 ,  4J033EA32 ,  4J033EA62 ,  4J100AL03S ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA02P ,  4J100BA03P ,  4J100BA03R ,  4J100BA16Q ,  4J100BC04S ,  4J100BC07P ,  4J100BC07Q ,  4J100BC07R ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09S ,  4J100BC15R ,  4J100BC15S ,  4J100BC26R ,  4J100BC26S ,  4J100BC27R ,  4J100BC27S ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100JA38