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J-GLOBAL ID：200903043180138010
固体撮像装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993283070
Publication number (International publication number)：1995142696
Application date： Nov. 12, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：
【要約】【構成】 n型シリコン基板1上に形成されたp-型ウエル領域2表面にp+型不純物領域7aが、また、該p+型不純物領域7aの中央部にp+型不純物領域7bが形成され、このp+型不純物領域7a,7bの下にn型不純物領域6が形成されており、このp+型不純物領域7a,7b及びn型不純物領域6により光電変換部を構成する。【効果】 完全転送型の光電変換部を有する固体撮像装置において、光電変換部の信号蓄積容量を高めることができる。
Claim (excerpt)：
第1導電型の半導体領域の表面に、複数の第1導電型の第1不純物領域と該第1不純物領域下に形成された第2導電型の第2不純物領域とから成る光電変換部が形成されて成る固体撮像装置において、上記第1不純物領域の不純物濃度が中央部より周辺部の方が低くなっていることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2)：
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