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J-GLOBAL ID：200903043203714480

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 手塚 勉 ,  黒部 篤 ,  杉山 直治 ,  臼田 宏治 ,  今井 聖支 ,  平岡 佳子
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995338876
Publication number (International publication number)：1997180999
Application date： Dec. 26, 1995
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】低転位密度の歪みSi層を有し、その下地のSiGe層が薄いSOI基板を提供すること。【解決手段】Si層3上に転位変換層としてのGe層4を介してSi0.7 Ge0.3 バッファ層5を成長させた後、熱処理によりSi0.7 Ge0.3 バッファ層5を格子緩和させる。この後、Si0.7 Ge0.3 バッファ層5上に歪みSi層6を成長させる。

Claim (excerpt)：

シリコン支持板上に、シリコン酸化層、第1のシリコン層、シリコンゲルマニウム層、歪み状態の第2のシリコン層が順次積層されてなり、前記第1のシリコン層と前記シリコンゲルマニウム層との間に、無歪み状態での格子定数が、無歪みのシリコンの格子定数および前記シリコンゲルマニウム層と同組成におけるシリコンゲルマニウムの格子定数と異なる格子定数を有する転位変換層が挿設されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12

FI (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 27/12 R