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J-GLOBAL ID：200903043212893273
縦型絶縁ゲート型トランジスタの製法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992344194
Publication number (International publication number)：1994196707
Application date： Dec. 24, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 XMOSトランジスタを確実に製造できるようにする。【構成】 半導体基板11に、選択的にソース領域ないしはドレイン領域(S/D領域)12を形成する工程と、半導体基板11上に、チャネル形成部となる突出部13を形成する工程と、突出部13の壁面13sにゲート絶縁層14を形成する工程と、ゲート絶縁層14に接して例えば対のゲート電極15を形成する工程とを採る。
Claim (excerpt)：
半導体基板に、選択的にソース領域ないしはドレイン領域を形成する工程と、前記半導体基板上に、チャネル形成部となる突出部を形成する工程と、該突出部の壁面にゲート絶縁層を形成する工程と、該ゲート絶縁層に接してゲート電極を形成する工程とを採ることを特徴とする縦型絶縁ゲート型トランジスタの製法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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