縦型絶縁ゲート型トランジスタの製法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松隈秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992344194
Publication number (International publication number)：1994196707
Application date： Dec. 24, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 XMOSトランジスタを確実に製造できるようにする。【構成】半導体基板11に、選択的にソース領域ないしはドレイン領域(S/D領域)12を形成する工程と、半導体基板11上に、チャネル形成部となる突出部13を形成する工程と、突出部13の壁面13sにゲート絶縁層14を形成する工程と、ゲート絶縁層14に接して例えば対のゲート電極15を形成する工程とを採る。

Claim (excerpt)：

半導体基板に、選択的にソース領域ないしはドレイン領域を形成する工程と、前記半導体基板上に、チャネル形成部となる突出部を形成する工程と、該突出部の壁面にゲート絶縁層を形成する工程と、該ゲート絶縁層に接してゲート電極を形成する工程とを採ることを特徴とする縦型絶縁ゲート型トランジスタの製法。

IPC (2)：

H01L 29/784 , H01L 29/44

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

特開平4-294585
特開平4-294585
特開平2-052469

Show all

Return to Previous Page