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J-GLOBAL ID：200903043225588925

単結晶構造の製造方法

Inventor：
ベック、トーマス

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ボスタンヨグロ、ゲオルク

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コックス、ニゲル-フィリップ

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ヴィルケンヘーナー、ロルフ

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Applicant, Patent owner：
シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト

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Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003584371
Publication number (International publication number)：2005522342
Application date： Mar. 21, 2003
Publication date： Jul. 28, 2005
Summary：
ガスタービン翼等の単結晶構造を持つ金属製工作物の磨耗や損傷時、工作物と同じ結晶構造を持つ補修層をエピタキシャル成長させる必要がある。本発明は、線上、楕円形又は長方形の焦点を持つレーザ光や電子ビームにより工作物上にエピタキシャル層を形成することを特徴とする。従来の円形の焦点を持つエネルギビームの場合のように、横方向への掃引を行うことなく、縦方向に掃引するだけでよいので、溶接ビートの重複や接触が起らず、十分な結晶配向を持つエピタキシャル層を形成できる。
Claim (excerpt)：
エネルギの投入により構造部材(6)の処理すべき表面(11)をエネルギの焦点(3)で溶融させ、 この溶融した範囲に素材(13)を供給し、該素材(13)を完全に溶融させるかその表面(11)を溶融させ、 その際素材を単結晶構造となし、かつこの溶融した素材を凝固させる、特にエピタキシャル成長による単結晶構造の基板上に、特に金属超合金から成る単結晶構造、部品又は工作物を製造する方法において、 前記焦点(3)が線状、楕円形又は長方形の幾何学形状を有することを特徴とする単結晶構造、部品又は工作物の製造方法。
IPC (8)：
B23P9/00 ,  B22D27/04 ,  B23K15/00 ,  B23K26/00 ,  B23K26/06 ,  C30B13/22 ,  F01D5/28 ,  F02C7/00
FI (8)：
B23P9/00 ,  B22D27/04 A ,  B23K15/00 505 ,  B23K26/00 G ,  B23K26/06 E ,  C30B13/22 ,  F01D5/28 ,  F02C7/00 D
F-Term (19)：
3G002EA05 ,  3G002EA06 ,  4E066AA03 ,  4E066BA03 ,  4E066BC10 ,  4E066CB14 ,  4E068AH02 ,  4E068CA02 ,  4E068CD08 ,  4E068CJ01 ,  4E068CJ09 ,  4E068DA00 ,  4E068DB01 ,  4G077AA02 ,  4G077BA08 ,  4G077CE05 ,  4G077CE10 ,  4G077ED04 ,  4G077HA20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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