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J-GLOBAL ID：200903043235842374

導電性高分子などの電着方法

Inventor： 大柿克彦 ,  池野千晶 ,  稲葉博司
Applicant, Patent owner： セントラル硝子株式会社
Agent (1)： 坂本 栄一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991220271
Publication number (International publication number)：1993059590
Application date： Aug. 30, 1991
Publication date： Mar. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】比較的大面積の透明導電膜が形成された基板にポリアニリンなどの導電性高分子、プルシアンブル-などの金属錯体、五酸化バナジウムのどの金属酸化物を均一に電着する方法を提供することを目的とする。【構成】800cm2 以上の面積を有する透明導電膜が形成された基板と導電性板状体板を対向するように電解液に浸漬し、該基板を作用極、導電性板状体を対極として、透明導電膜上に導電性高分子、金属錯体あるいは金属酸化物を電着する装置において、前記透明導電膜の周辺部には該導電膜より低抵抗の導電帯を配設し、少なくとも低抵抗の導電帯を除いた透明導電膜の全周辺エッジから中央部に向けて同じ長さを持ち、中央部分において、導電帯を除いた透明導電膜の面積Sに対して0.06S〜0.25Sなる面積だけ開口させ、かつ透明導電膜の全周辺エッジから開口部に向けて透明導電膜との距離を次第に離隔させ、さらに透明導電膜に対して凸の湾曲形状を有する邪魔板を基板に装着するようにしたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

800cm2 以上の面積を有する透明導電膜が形成された基板と導電性板状体板を対向するように電解液に浸漬し、該基板を作用極、導電性板状体を対極として、透明導電膜上に導電性高分子、金属錯体あるいは金属酸化物を電着する装置において、前記透明導電膜の周辺部には該導電膜より低抵抗の導電帯を配設し、少なくとも低抵抗の導電帯を除いた透明導電膜の全周辺エッジから中央部に向けて同じ長さを持ち、中央部分において、導電帯を除いた透明導電膜の面積Sに対して0.06S〜0.25Sなる面積だけ開口させ、かつ透明導電膜の全周辺エッジから開口部に向けて透明導電膜との距離を次第に離隔させ、さらに透明導電膜に対して凸の湾曲形状を有する邪魔板を基板に装着するようにしたことを特徴とする導電性高分子などの電着方法。

IPC (4)：

C25D 9/00 ,  C25D 5/00 ,  C25D 13/06 ,  G02F 1/15 505