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J-GLOBAL ID：200903043244264600

外力検出装置の製造方法

Inventor： 田村 昌弥
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 広瀬 和彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996338887
Publication number (International publication number)：1998160482
Application date： Dec. 04, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】 陽極接合時にガラス基板から発生する酸素ガスの量を減少させ、外力検出装置の検出部を減圧雰囲気中に収容する。【解決手段】 ガラス基板10を検出部が形成されたシリコン基板に減圧雰囲気中で陽極接合する前に、電圧印加板21とガラス基板10を密接させた状態で、これらに加熱条件下で高電圧を付与し、ガラス基板10から酸素ガスを放出させ、脱ガスを行う。これにより、陽極接合時にガラス基板10から発生する酸素ガスの量を減少させることができる。ここで、電圧印加板21は、導電性材料からなる板体22と、難酸化材料からなる薄膜23とから構成されている。

Claim (excerpt)：

ガラス材料からなる第1の基板に加熱条件下で電圧を印加し、該第1の基板から酸素ガスを発生させる脱ガス工程と、該脱ガス工程とは別個に、導電性材料からなる第2の基板に外力を検出する検出部を形成する検出部形成工程と、前記脱ガス工程を経た第1の基板と該検出部形成工程によって検出部が形成された前記第2の基板との間に当該検出部を収容した状態で、前記第1の基板と第2の基板とを減圧雰囲気中で陽極接合する陽極接合工程とから構成してなる外力検出装置の製造方法。

IPC (3)：

G01C 19/56 ,  G01P 9/04 ,  H01L 29/84

FI (3)：

G01C 19/56 ,  G01P 9/04 ,  H01L 29/84 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 小型電子部品およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-311955   Applicant：株式会社村田製作所