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J-GLOBAL ID：200903043245447333

半導体装置の製造方法

Inventor： 中島 伸二
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994169450
Publication number (International publication number)：1996037185
Application date： Jul. 21, 1994
Publication date： Feb. 06, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し、配線層として用いるアルミニウム合金膜の結晶粒径を大きくすると共にウィスカーの析出をなくすことにより、エレクトロマイグレーション耐圧が高く、且つ、微細加工に優れたアルミニウム合金膜を得る。【構成】 半導体基体11上に、酸素と水蒸気の分圧の和が1×10-10 Torr以下の雰囲気中においてアルミニウム合金膜13aを成膜し、次いで、酸素と水蒸気の分圧の和が1×10-10 Torr以下の雰囲気中で加熱処理を行い、その後、酸素と水蒸気の分圧の和が1×10-10 Torr以下の雰囲気中でウェハ10を冷却する。

Claim (excerpt)：

半導体基体上に、酸素と水蒸気の分圧の和が1×10-10 Torr以下の雰囲気中においてアルミニウム合金を成膜し、次いで、酸素と水蒸気の分圧の和が1×10-10 Torr以下の雰囲気中において加熱処理を行い、その後、酸素と水蒸気の分圧の和が1×10-10 Torr以下の雰囲気中で冷却することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301