Pat

J-GLOBAL ID：200903043248408428

低減された誤差を有するX線マスクを製造する方法

Inventor： ケビン・ディー・カミングス
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 池内 義明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997152970
Publication number (International publication number)：1998070073
Application date： May. 27, 1997
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 X線マスクを製造する方法において、残留誤差を補償し精度を大幅に改善する。【解決手段】 X線マスク15を製造する方法はウェーハ11上に膜層12を形成しかつ該膜層12の上にX線吸収材料の層13を形成する。次の式およびもし望むならばそれらの拡張によってあらかじめ歪ませられた位置を備えたパターンが前記吸収層13の上に規定される。【数1】ΔY=MyY+δYΔX=MxX+δXMyおよびMxはXおよびYの拡大または倍率誤差であり、δYは項αX4+βX2+γを含み、ここで、αは項a1Y3+a2Yを含み、βは項a3Y3+a4Yを含み、γは項a5Y3+a6Yを含み、かつδXに対し対応する式を有する。前記パターンは次に吸収層13に形成されX線マスク15を形成する。

Claim (excerpt)：

低減された誤差を有するX線マスク(15)を製造する方法であって、平坦な面を備えたウェーハ(11)を提供する段階、前記ウェーハ(11)の前記平坦な面上に膜層(12)を形成する段階、前記膜層(12)の上にX線吸収材料の層(13)を形成する段階、前記X線吸収材料の層(13)の上にパターンを規定する段階であって、該パターンは次の式にしたがってあらかじめ歪ませられた位置を有する部分を有し、【数3】ΔY=MyY+δYΔX=MxX+δXこの場合、MyおよびMxはそれぞれXおよびYの拡大または倍率誤差であり、かつXおよびYはマスク(15)上の位置を規定し、δYは項αX4+βX2+γを含み、この場合、αは項a1Y3+a2Yを含み、βは項a3Y3+a4Yを含み、γは項a5Y3+a6Yを含み、そしてδXは項α′Y4+β′Y2+γを含み、この場合、α′は項a7X3+a8Xを含み、β′は項a9X3+a10Xを含み、γは項a11X3+a12Xを含む、(a1〜a12は定数である)前記パターンを規定する段階、前記X線吸収材料の層(13)を通してパターンを形成しX線マスク(15)を形成する段階、を具備することを特徴とする低減された誤差を有するX線マスク(15)の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16

FI (2)：

H01L 21/30 531 M ,  G03F 1/16 A