Pat

J-GLOBAL ID：200903043249947764

配線形成方法

Inventor： 長山 哲治
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997004925
Publication number (International publication number)：1998199861
Application date： Jan. 14, 1997
Publication date： Jul. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】 W配線のパターニングに反射防止膜を利用した場合でも、後工程で良好な上層配線コンタクトを形成する。【解決手段】 Ti系の密着層5、Wからなる配線膜6、SiON系の反射防止膜が順次積層された多層膜をパターニングする場合、F系エッチング種を用いた配線膜6のジャストエッチングが終了した時点でレジスト・パターンを除去し、密着層5と新たに露出した形成途中の配線パターンの表面の反射防止膜とをCl系エッチング種を用いて同時に除去する。完成された配線パターン11の表面には反射防止膜が存在しないので、該パターンを被覆する層間絶縁膜に微細なビアホールを開口する際にもホール底に絶縁性の反射防止膜のエッチング残りが発生せず、上記配線パターン11に対して良好な上層配線コンタクトを形成することができる。

Claim (excerpt)：

基板上に主として第1のエッチング種でエッチングされる密着層と、主として第2のエッチング種でエッチングされる配線膜と、主として第1のエッチング種でエッチングされる反射防止膜とがこの順に積層されてなる多層膜を有機膜マスクを介してエッチングすることにより配線パターンを形成する配線形成方法であって、前記有機膜マスクの開口内に表出する前記反射防止膜を前記第1のエッチング種を用いて選択的に除去する第1工程と、同じ開口内に表出する前記配線膜を前記第2のエッチング種を用いて少なくとジャストエッチング状態となるまで選択的に除去する第2工程と、前記有機膜マスクを除去する第3工程と、前記密着層の露出部と形成途中の配線パターンの表面に残存する前記反射防止膜とを前記第1のエッチング種を用いて同時に除去する第4工程とを有することを特徴とする配線形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3213

FI (3)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/88 D