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J-GLOBAL ID：200903043256637738

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 大山 利彦
Applicant, Patent owner： サンケン電気株式会社
Agent (1)： 高野 則次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999189246
Publication number (International publication number)：2001015542
Application date： Jul. 02, 1999
Publication date： Jan. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 表面実装型の発光ダイオ-ド装置を製造する時に、ワイヤによって発光ダイオ-ドチップ1を接続すると、薄型化が困難になった。【解決手段】 基板2上に発光ダイオ-ドチップ1を固着する。基板2の導体層9にAuワイヤ3の一端をボ-ルボンデイングし、Auワイヤ3の他端をチップ1の主面の電極6aにステッチボンデイングする。

Claim (excerpt)：

第1及び第2の主面を有している半導体チップと、前記チップの前記第2の主面が固着されているチップ支持基体と、ワイヤ接続部分を有する導体と、前記チップの前記第1の主面と前記ワイヤ接続部分とを接続しているワイヤとを備えた半導体装置であって、前記ワイヤ接続部分が前記チップ支持基体を基準にして前記チップの前記第1の主面の高さ位置よりも低い位置に配置され、前記ワイヤの一端が前記ワイヤ接続部分にボ-ルボンデイングされ、前記ワイヤの他端が前記チップの前記第1の主面にステッチボンデイング又はウエッジボンデイングされていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/60 301 A ,  H01L 33/00 M

F-Term (6)：

5F041AA47 ,  5F041DA07 ,  5F041DA20 ,  5F041DA42 ,  5F044AA02 ,  5F044CC05