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J-GLOBAL ID:200903043262311259

レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 好宮 幹夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003150350
Publication number (International publication number):2004354554
Application date: May. 28, 2003
Publication date: Dec. 16, 2004
Summary:
【課題】多層レジストプロセス用、特には2層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、すなわち透明性が高く、最適なn値、k値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料、及びこれを用いてリソグラフィーにより基板にパターンを形成する方法を提供する。【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。【化24】【選択図】 なし
Claim (excerpt):
リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。
IPC (4):
G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027
FI (4):
G03F7/11 503 ,  G03F7/26 511 ,  G03F7/40 521 ,  H01L21/30 573
F-Term (24):
2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025DA34 ,  2H025DA40 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA09 ,  2H096CA05 ,  2H096CA06 ,  2H096EA04 ,  2H096GA08 ,  2H096HA23 ,  2H096JA04 ,  2H096KA06 ,  2H096KA19 ,  5F046NA01 ,  5F046NA17
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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