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J-GLOBAL ID：200903043266469280

間欠的なプリカーサガスフロープロセスを使用して金属層を形成する方法。

Inventor： 山▲さき▼ 英亮 ,  松田 司 ,  五味 淳 ,  波多野 達夫 ,  立花 光博 ,  松澤 興明 ,  河野 有美子 ,  レゥシンク、ジャート・ジェイ. ,  マックフィーリー、フェントン・アール. ,  マルホトラ、サンドラ・ジー. ,  サイモン、アンドリュー・エイチ. ,  ユルカス、ジョン・ジェイ.
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
Agent (11)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  橋本 良郎 ,  風間 鉄也
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006533889
Publication number (International publication number)：2007507892
Application date： Sep. 07, 2004
Publication date： Mar. 29, 2007
Summary：

【課題】 間欠的なプリカーサガスフロープロセスを使用して金属層を形成する方法を提供することである。【解決手段】 間欠的なプリカーサガスフロープロセスを使用して基板上に金属層を形成する方法は、提供される。方法は、金属-カルボニルプリカーサガスのパルスに基板を曝すと共に、還元ガスに基板を曝すことを含む。所望の厚さを有する金属層が基板上に形成されるまで、プロセスは実行される。金属層は、基板上に形成されることができ、または、交互に、金属層は、金属核生成層上に形成されることができる。【選択図】

Claim (excerpt)：

金属層を基板上に形成する方法であって、 処理チャンバ内に基板を準備することと、 前記基板を還元ガスに曝すことと、 前記基板を金属-カルボニルプリカーサのパルスに曝して、金属層を前記基板上に形成することと、 所望の厚さを有する金属層が形成されるまで、前記曝すプロセスを繰り返すこととを具備する方法。

IPC (3)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/28 ,  C23C 16/16

FI (4)：

H01L21/285 C ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 A ,  C23C16/16

F-Term (35)：

4K030AA06 ,  4K030AA07 ,  4K030AA12 ,  4K030AA13 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA01 ,  4K030BA05 ,  4K030BA06 ,  4K030BA12 ,  4K030BA14 ,  4K030BA20 ,  4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030DA02 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA04 ,  4K030JA01 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104DD21 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104HH16