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J-GLOBAL ID：200903043267701560

半導体装置の製造方法

Inventor：
牛膓 哲雄

About 牛膓 哲雄


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997101190
Publication number (International publication number)：1998294290
Application date： Apr. 18, 1997
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：
【要約】【課題】 タングステンシリサイド膜を備えたポリサイド構造を加工してゲート電極を形成した後に酸化性雰囲気で熱工程を行うと、タングステンシリサイド膜に膨れや突起等を生じて、電極間の耐圧の劣化を引き起こす。【解決手段】 金属シリサイド膜14を形成した後に第1の熱工程としてオフセット絶縁膜15の形成工程と第2の熱工程として酸素原子を含む雰囲気中で加熱して成膜処理を行うことで絶縁膜18を形成する工程を行う際に、オフセット絶縁膜15の形成工程と絶縁膜18の形成工程との間で、金属シリサイド膜14をエッチングにより加工してゲート電極17を形成した後に、窒素のみの雰囲気中でアニーリングを行うことにより課題の解決を図るという製造方法である。
Claim (excerpt)：
金属シリサイド膜を形成した後に第1の熱工程と第2の熱工程とを行う半導体装置の製造方法において、前記第1の熱工程と前記第2の熱工程との間で、前記金属シリサイド膜の加工を行った後に窒素のみの雰囲気中でアニーリングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/78
FI (3)：
H01L 21/28 301 D ,  H01L 21/90 C ,  H01L 29/78 301 X
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-159463   Applicant：日本電気株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-328435   Applicant：川崎製鉄株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-152482   Applicant：株式会社リコー
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